CMP抛光垫 | 突破美日垄断，发泡技术及材料赋能“中国芯”！

       云计算、大数据、5G、物联网、移动和自动化应用的快速增长正在推动对先进半导体制造技术不断突破可能的极限，新的器件架构、新材料和复杂的集成方案增加了工艺强度和复杂性。

       电子器件的尺寸越来越小，对半导体原材料晶片表面的平整度要求也越来越高。对晶片表面处理的传统平坦化技术有热流法、旋转玻璃法、回蚀法、选择淀积等，但这些都只能做到局部的平面化，不能达到全局平面化。

       半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，要不然各处电阻值不均，光刻也刻不准，国际先进的芯片制造厂已使用5纳米以下制程工艺。1纳米相当于六万分之一根头发丝，难度可想而知。

       化学机械抛光（MPC）目前世界上唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术，使芯片制造商能够继续缩小电路面积并扩展光刻工具的性能。每个晶圆的生产，都需要对晶片进行多次CMP抛光才得以实现——最多需要反复128次。

       目前最好的CMP工艺是用化学（液体）和机械（垫子）结合起来的方式。在抛光这个工艺中，最重要的两种材料是抛光液和抛光垫。